轉(zhuǎn)自：動(dòng)力谷智略 2020年4月30日

          電子氣體

          如果說(shuō)硅晶圓是晶圓制造的基石，電子氣體則是半導(dǎo)體制造的“血液”，它存在于芯片制造及封裝的每一個(gè)環(huán)節(jié)。在半導(dǎo)體制造中，電子氣體純度每提升一個(gè)數(shù)量級(jí)，都會(huì)促進(jìn)器件性能的有效提升。電子氣體的技術(shù)壁壘極高，最核心的技術(shù)是氣體提純技術(shù)，其雜質(zhì)含量可低至10^(-9)級(jí)甚至10^(-12)級(jí)。此外超高純氣體的包裝和儲(chǔ)運(yùn)也是一大難題。

          01電子氣體的應(yīng)用

          在集成電路產(chǎn)業(yè)使用的電子氣體中可分為大宗氣體（常用氣體）和特殊氣體兩類。大宗氣體一般是以氮?dú)?、氧氣、氬氣、氦氣、氫氣等純凈氣體為主。大宗氣體在半導(dǎo)體制造中主要有兩種功能，一種是作為反應(yīng)氣體參與到化學(xué)反應(yīng)中，比如氫氣，氧氣等等。另外一種是作為保護(hù)氣體使用的惰性氣體，經(jīng)常用在高溫烘烤或清洗過(guò)程，這些氣體一般是以惰性氣體為主，比如氮?dú)猓瑲鍤?，氦氣等等。特殊氣體以化合物氣體為主，主要是集成電路制造中的反應(yīng)氣體。比如硅烷、磷化三氫、一氧化二氮、氨氣，四氟甲烷等等，這些氣體主要是參與到芯片制造過(guò)程中的一些物質(zhì)生成等等。比如利用硅烷反應(yīng)成成二氧化硅介質(zhì)，利用四氟甲烷主要在干法刻蝕中，與被刻蝕物發(fā)生反應(yīng)，從而達(dá)到刻蝕的目的。在集成電路制造中，大宗氣體和特種氣體的用量幾乎各占50%。

         電子氣體的應(yīng)用環(huán)節(jié)圖示

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         電子氣體的應(yīng)用介紹

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          02電子氣體市場(chǎng)

         （1）全球市場(chǎng)

          電子氣體由于在制造過(guò)程中使用的步驟較多，所以消耗量遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其他材料，電子氣體是晶圓制造中的第二大耗材。2018年全球集成電路用電子氣體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到45.12億美元，同比增長(zhǎng)15.93%。

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目前全球電子特氣90%以上市場(chǎng)份額被美國(guó)空氣化工、美國(guó)普萊克斯、德國(guó)林德集團(tuán)、法國(guó)液化空氣和日本大陽(yáng)日酸株式會(huì)社等五家公司壟斷。

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          （2）國(guó)內(nèi)市場(chǎng)

           2018年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體用電子特氣市場(chǎng)規(guī)模約4.89億美元。經(jīng)過(guò)30多年的發(fā)展，我國(guó)半導(dǎo)體用電子特氣已經(jīng)取得了不錯(cuò)的成績(jī)，中船重工718所、廣東華特、昊華科技、雅克科技和南大光電企業(yè)等處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位。

           中船重工718所的NF3（清洗、刻蝕）及WF6（化學(xué)氣相沉積）產(chǎn)品主要用于IC制造過(guò)程中的外延、離子注入、擴(kuò)散、蝕刻、沉積、清洗等關(guān)鍵工藝，上述產(chǎn)品已有成熟的技術(shù)及生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，并有多年的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)，完全能夠滿足客戶的需求，實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率第一。

          華特氣體在多個(gè)領(lǐng)域率先打破國(guó)際壟斷，實(shí)現(xiàn)了相關(guān)特種氣體的量產(chǎn)。公司成為國(guó)內(nèi)首家打破六氟乙烷、三氟甲烷、八氟丙烷、二氧化碳、一氧化碳、一氧化氮、Ar/F/Ne混合氣、Kr/Ne混合氣、Ar/Ne混合氣、Kr/F/Ne混合氣等產(chǎn)品進(jìn)口制約的氣體公司，并實(shí)現(xiàn)了近20個(gè)產(chǎn)品的進(jìn)口替代，是中國(guó)特種氣體國(guó)產(chǎn)化的先行者。其中，高純六氟乙烷獲選“第十屆（2015）中國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)”、高純?nèi)淄楂@選“第十一屆（2016）中國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)”，Ar/F/Ne、Kr/Ne、Ar/Ne和Kr/F/Ne等4種混合氣于2017年通過(guò)ASML公司的產(chǎn)品認(rèn)證。目前，公司是我國(guó)唯一通過(guò)ASML公司認(rèn)證的氣體公司，亦是全球僅有的上述4個(gè)產(chǎn)品全部通過(guò)其認(rèn)證的四家氣體公司之一。

           濕電子化學(xué)品

濕電子化學(xué)品是電子行業(yè)不可或缺的關(guān)鍵性材料濕電子化學(xué)品為微電子、光電子濕法工藝制程中使用的各種電子化工材料，是指主體成分純度大于99.99%，雜質(zhì)離子和微粒數(shù)符合嚴(yán)格要求的化學(xué)試劑。濕電子化學(xué)品包含各種不同的種類，根據(jù)組成成分和應(yīng)用工藝的不同，可以分為通用濕電子化學(xué)品和功能濕電子化學(xué)品。

         通用濕電子化學(xué)品是指在集成電路、液晶顯示器、太陽(yáng)能電池、LED制造工藝中被大量使用的液體化學(xué)品，主要包括過(guò)氧化氫、氫氟酸、硫酸、磷酸、鹽酸、硝酸、氫氧化銨等；功能濕電子化學(xué)品是指通過(guò)復(fù)配手段達(dá)到特殊功能、滿足制造中特殊工藝需求的配方類或復(fù)配類化學(xué)品，主要包括顯影液、剝離液、清洗液、刻蝕液等。

         濕電子化學(xué)品通常采用以下方法制備提純：蒸餾和精餾、離子交換、分子篩吸附、氣體吸收、超凈過(guò)濾。

         01濕電子化學(xué)品的應(yīng)用

        （1）污染物清洗

         大規(guī)模集成電路在其生產(chǎn)過(guò)程中有幾十道工序，工藝制造過(guò)程中的空氣、水、各種氣體、化學(xué)試劑、工作環(huán)境、電磁環(huán)境噪聲以及微振動(dòng)、操作人員、使用的工具、器具等各種因素都可能帶來(lái)污染物，污染物數(shù)量超過(guò)一定限度時(shí)，就會(huì)使集成電路產(chǎn)品發(fā)生表面擦傷、圖形斷線、短路、針孔、剝離等現(xiàn)象。這會(huì)導(dǎo)致漏電、電特性異常等情況，輕者影響電路使用壽命，嚴(yán)重時(shí)可導(dǎo)致電路報(bào)廢。而這些污染物都需要相關(guān)的超凈高純?cè)噭┤コ?。所以濕電子化學(xué)品是電子行業(yè)制作過(guò)程中不可缺少的關(guān)鍵性基礎(chǔ)化工材料之一，它的純度和潔凈度對(duì)集成電路的成品率、電性能及可靠性都有著十分重要的影響。“超凈”、“高純”是濕電子化學(xué)品產(chǎn)品最基本和最嚴(yán)格的要求，與電子氣體類似，用于集成電路制造的高端濕電子化學(xué)品的雜質(zhì)含量低至10^(-9)級(jí)甚至10^(-12)級(jí)。

         濕電子化學(xué)品用于晶圓污染物清洗

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         （2）蝕刻、顯影等

          在集成電路的制造過(guò)程中，常常需要在晶圓上做出極微細(xì)尺寸的圖案，而這些微細(xì)圖案最主要的形成方式，就是使用蝕刻技術(shù)，將微影技術(shù)所產(chǎn)生的光阻圖案，準(zhǔn)確無(wú)誤地轉(zhuǎn)引到光阻底下的材質(zhì)上以形成整個(gè)電路的復(fù)雜架構(gòu)。

          蝕刻技術(shù)可以大致分為濕式蝕刻與干式蝕刻兩種方式，目前濕式蝕刻運(yùn)用廣泛，因其操作簡(jiǎn)單、成本低廉、用時(shí)短且具有高可靠性。濕法刻蝕通過(guò)特定濕電子化學(xué)品與需要刻蝕的薄膜材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，除去光刻膠未覆蓋區(qū)域的薄膜，濕電子化學(xué)品主要在濕式蝕刻加工過(guò)程中發(fā)揮功效。

         顯影是在正性光刻膠的曝光區(qū)和負(fù)性光刻膠的非曝光區(qū)的光刻膠在顯影液中溶解，在光刻膠上形成三維圖形的一種光刻技術(shù)。顯影液和洗脫液的成分是針對(duì)不同的光阻材料設(shè)計(jì)而成的，此過(guò)程涉及的超凈高純?cè)噭┌℉2O2、Na2SO3，以及KOH和NaOH等堿性溶液，針對(duì)不同的顯影液和洗脫液，其配方成分均不相同。

         02濕電子化學(xué)品市場(chǎng)

        （1）全球市場(chǎng)

         2018年全世界濕電子化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到52.65億美元，三大市場(chǎng)應(yīng)用量達(dá)到307萬(wàn)噸，其中半導(dǎo)體市場(chǎng)應(yīng)用量約132萬(wàn)噸，顯示面板市場(chǎng)應(yīng)用量約101萬(wàn)噸，太陽(yáng)能電池領(lǐng)域應(yīng)用量達(dá)到74萬(wàn)噸。

          美國(guó)、日本和德國(guó)占據(jù)了全球濕電子化學(xué)品市場(chǎng)主要份額。

第一大市場(chǎng)份額，由歐美傳統(tǒng)老牌企業(yè)的濕電子化學(xué)品產(chǎn)品（包括它們?cè)趤喼揲_(kāi)設(shè)工廠所創(chuàng)的銷售額）所占領(lǐng)，其市場(chǎng)份額約為34%。其主要企業(yè)有德國(guó)巴斯夫（Basf）公司、美國(guó)Ashland化學(xué)、美國(guó)Arch化學(xué)品公司、美國(guó)霍尼韋爾公司、AIR PRODUCTS、德國(guó)E.Merck公司等。

          第二大市場(chǎng)份額，由日本的十家左右生產(chǎn)企業(yè)所擁有，約占30%的市場(chǎng)份額。其大型企業(yè)包括關(guān)東化學(xué)公司、三菱化學(xué)、京都化工、日本合成橡膠、住友化學(xué)、和Stella Chemifa等。

第三大市場(chǎng)份額，主要由中國(guó)臺(tái)灣、韓國(guó)、中國(guó)大陸企業(yè)所占據(jù)，三者約占全球市場(chǎng)份額的35%。

         （2）國(guó)內(nèi)市場(chǎng)

          在我國(guó)及全世界，半導(dǎo)體市場(chǎng)仍是對(duì)濕電子化學(xué)品要求最高的市場(chǎng)，也是需求規(guī)模最大的市場(chǎng)。這一市場(chǎng)的濕電子化學(xué)品國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展，在擴(kuò)展8英寸及8英寸以上半導(dǎo)體晶圓市場(chǎng)方面，仍很緩慢。目前，我國(guó)內(nèi)資企業(yè)生產(chǎn)的濕電子化學(xué)品在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體總體上市場(chǎng)上占有25%的市場(chǎng)份額。其中8英寸及8英寸以上用濕電子化學(xué)品的國(guó)產(chǎn)化比例僅有10%左右。而我國(guó)內(nèi)資企業(yè)產(chǎn)濕電子化學(xué)品在6英寸及6英寸以下晶圓市場(chǎng)上的國(guó)產(chǎn)化率已提高到80%。

          目前國(guó)內(nèi)生產(chǎn)濕電子化學(xué)品的企業(yè)約有四十多家，產(chǎn)品達(dá)到國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，且具有一定生產(chǎn)量的企業(yè)有30多家。其中，江化微、江陰市潤(rùn)瑪電子、杭州格林達(dá)化學(xué)、蘇州晶瑞化學(xué)是目前國(guó)內(nèi)最大的幾家濕電子化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)。它們的市場(chǎng)份額占國(guó)內(nèi)企業(yè)產(chǎn)品的總市場(chǎng)量的70%以上。

          目前國(guó)際上制備G1到G5級(jí)濕電子化學(xué)品的技術(shù)都已經(jīng)趨于成熟，國(guó)內(nèi)大部分企業(yè)已經(jīng)達(dá)到了國(guó)際G3標(biāo)準(zhǔn)，并已開(kāi)展G4標(biāo)準(zhǔn)的研發(fā)工作。一些技術(shù)領(lǐng)先的濕電子化學(xué)品企業(yè)，如江化微公司，目前技術(shù)水平已達(dá)到SEMI標(biāo)準(zhǔn)等級(jí)的高端行列，硝酸純度、氫氟酸、氨水、金屬刻蝕液等均已完成行業(yè)頂級(jí)（G4級(jí)和G5級(jí)）品類中試，量產(chǎn)在即。

          濺射靶材

          濺射是制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中經(jīng)過(guò)加速聚集，而形成高速度流的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基體表面。被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。

         01靶材的應(yīng)用

         集成電路、平板顯示器、太陽(yáng)能電池、信息存儲(chǔ)、工具改性、光學(xué)器件、高檔裝飾用品等生產(chǎn)過(guò)程中均需要進(jìn)行濺射鍍膜工藝，濺射靶材應(yīng)用領(lǐng)域非常廣闊。集成電路生產(chǎn)對(duì)濺射靶材的技術(shù)要求最高，價(jià)格也最為昂貴，對(duì)于靶材純度和技術(shù)的要求高于平面顯示器、太陽(yáng)能電池等其他應(yīng)用領(lǐng)域。一般而言，芯片制造對(duì)濺射靶材金屬純度的要求最高，通常要求達(dá)到99.9995%(5N5)以上，平板顯示器、太陽(yáng)能電池分別要求達(dá)到99.999%(5N)、99.995%(4N5)以上即可。

         根據(jù)基礎(chǔ)材料的不同可將靶材分為金屬靶材(純金屬鋁/鈦/銅/鉭等)、合金靶材(鎳鉻/鎳鈷合金等)、無(wú)機(jī)非金屬靶材(陶瓷化合物：氧化物/硅化物/碳化物等)、復(fù)合材料靶材。

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在晶圓制造環(huán)節(jié)，濺射靶材主要用于晶圓導(dǎo)電層及阻擋層和金屬柵極的制作，主要用到鋁、鈦、銅、鎢、鉭等金屬，芯片封裝用金屬靶材與晶圓制造類似，主要有銅、鋁、鈦等。其中，晶圓制造導(dǎo)電層使用金屬靶材主要有鋁靶和銅靶，阻擋層使用金屬靶材主要有鉭靶和鈦靶，阻擋層主要有兩個(gè)作用，一方面是阻隔與絕緣，防止導(dǎo)電層金屬擴(kuò)散到晶圓主體材料硅中，另一方面作為黏附，用于粘結(jié)金屬和硅材料。一般來(lái)說(shuō)，110nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)以上晶圓分別用鋁、鈦?zhàn)鳛閷?dǎo)線及阻擋層的薄膜材料，110nm以下晶圓分別使用銅，鉭材料作為導(dǎo)線及阻擋層的薄膜材料，隨著晶圓制程的縮小，未來(lái)對(duì)銅靶、鉭靶以及制作金屬柵極用鈦靶的用量占比將不斷提升。

         02靶材市場(chǎng)

         根據(jù)全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)（WSTS）數(shù)據(jù)，2016年全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)容量達(dá)113.6億美元，下游應(yīng)用結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體占比10%、平板顯示占34%、太陽(yáng)能電池占21%、記錄媒體占29%，靶材性能要求依次降低。WSTS預(yù)測(cè)到2019年全球高純?yōu)R射靶材市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)163億美元。

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          濺射靶材市場(chǎng)集中度較高，主要企業(yè)集中在美國(guó)和日本，其產(chǎn)業(yè)鏈完整，囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用各個(gè)環(huán)節(jié)，具備規(guī)模化生產(chǎn)能力，在掌握先進(jìn)技術(shù)以后實(shí)施壟斷和封鎖，主導(dǎo)著技術(shù)革新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

         以霍尼韋爾（美國(guó)）、日礦金屬（日本）、東曹（日本）等跨國(guó)集團(tuán)為代表的濺射靶材生產(chǎn)商，較早涉足該領(lǐng)域從事相關(guān)業(yè)務(wù)，憑借其雄厚的技術(shù)力量、精細(xì)的生產(chǎn)控制和過(guò)硬的產(chǎn)品質(zhì)量居于全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)的主導(dǎo)地位，2017年占據(jù)約80%市場(chǎng)份額。

         全球主要靶材生產(chǎn)企業(yè)

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         據(jù)中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2015年國(guó)內(nèi)高純?yōu)R射靶材市場(chǎng)的市場(chǎng)需求規(guī)模約153.5億人民幣，占全球市場(chǎng)的24.17%，而國(guó)內(nèi)靶材企業(yè)市場(chǎng)份額不到全球的2%，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的自給率低于10%。而由于近幾年中國(guó)大陸晶圓制造產(chǎn)線新增速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于全球其他地區(qū)，國(guó)內(nèi)靶材市場(chǎng)也保持高速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2016-2019年國(guó)內(nèi)靶材市場(chǎng)規(guī)模復(fù)合增長(zhǎng)率不低于20%。

          國(guó)內(nèi)濺射靶材的高純金屬原料多數(shù)依靠進(jìn)口。與其他各類半導(dǎo)體原材料類似，國(guó)內(nèi)提純技術(shù)有限，提純出來(lái)的基礎(chǔ)材料絕大部分達(dá)不到半導(dǎo)體材料高純度的生產(chǎn)要求。長(zhǎng)期以來(lái)，國(guó)內(nèi)廠商主要通過(guò)從國(guó)外進(jìn)口獲得高純金屬供給。

近年來(lái)，受益于國(guó)家從戰(zhàn)略高度持續(xù)地支持電子材料行業(yè)的發(fā)展及應(yīng)用推廣，我國(guó)國(guó)內(nèi)開(kāi)始出現(xiàn)少量專業(yè)從事高純?yōu)R射靶材研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)，突破靶材專業(yè)技術(shù)門檻，已在國(guó)內(nèi)靶材市場(chǎng)占據(jù)一定份額，主要有江豐電子、阿石創(chuàng)、有研新材和隆華節(jié)能等，并成功開(kāi)發(fā)出一批能適應(yīng)高端應(yīng)用領(lǐng)域的濺射靶材。

          國(guó)內(nèi)主要靶材生產(chǎn)企業(yè)

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         CMP拋光材料

         化學(xué)機(jī)械拋光（CMP，Chemical Mechanical Polishing）是集成電路制造過(guò)程中實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝。CMP拋光工藝是目前最先進(jìn)的拋光工藝，與傳統(tǒng)的純機(jī)械或純化學(xué)的拋光方法不同，CMP工藝是通過(guò)表面化學(xué)作用和機(jī)械研磨的技術(shù)結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)晶圓表面納米級(jí)不同材料的去除，即可獲得較為完美的表面，又可得到較高的拋光速度，且拋光平整度比其他方法高兩個(gè)數(shù)量級(jí)。

         晶圓生產(chǎn)所需的CMP拋光次數(shù)隨著線寬的縮小而增加，生產(chǎn)250nm級(jí)晶圓時(shí)所需要的平均拋光次數(shù)為8次，而7nm級(jí)晶圓生產(chǎn)所需要的平均拋光次數(shù)高達(dá)29次。由于拋光材料是消耗性材料，對(duì)CMP拋光材料的需求也會(huì)隨著線寬的縮小而增加。

         CMP工藝過(guò)程用到的材料有拋光液、拋光墊、調(diào)節(jié)器等，其中拋光液和拋光墊是最核心的材料，占比分別為49%和33%。

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          01 CMP拋光材料的應(yīng)用

         （1）拋光液

          拋光液的主要成分包含研磨顆粒、各種添加劑和水，其中研磨顆粒主要為硅溶膠和氣相二氧化硅。拋光液原料中添加劑的種類可根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行配比，如金屬拋光液中有金屬絡(luò)合劑、腐蝕抑制劑等，非金屬拋光液中有各種調(diào)節(jié)去除速率和選擇比的添加劑。拋光液的技術(shù)核心在于其配方，也是技術(shù)壁壘的關(guān)鍵所在。

            CMP的主要成分及其作用

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          （2）拋光墊

           拋光墊是CMP系統(tǒng)的重要組成部分，也是CMP的主要消耗品。拋光墊的表面結(jié)構(gòu)和組織直接影響拋光墊的性能，進(jìn)而影響CMP過(guò)程及加工效果。拋光墊表面開(kāi)溝槽是改善拋光墊性能的主要途徑之一。拋光墊溝槽的形狀、尺寸及溝槽分布等因素對(duì)CMP加工區(qū)域中的拋光液流量、壓力及其分布等產(chǎn)生重要影響。拋光墊通常用聚亞胺脂做成，因?yàn)榫蹃啺分邢窈＞d一樣的機(jī)械特性和多孔吸水特性。

         拋光墊的技術(shù)壁壘主要是溝槽的設(shè)計(jì)及提高使用壽命。由于拋光墊是消耗品，所以提高使用壽命能降低工藝成本。

         02 CMP拋光材料的市場(chǎng)

         2018年，全球CMP拋光液和拋光墊的市場(chǎng)規(guī)模分別是12.7億美元和7.4億美元。

         全球化學(xué)機(jī)械拋光液市場(chǎng)主要被美國(guó)和日本企業(yè)壟斷，主要企業(yè)包括美國(guó)的Cabot Microelectronics（卡博特微電子）、Versum和日本的Hitachi、Fujifilm等。其中，2017年，Cabot Microelectronics是全球拋光液市場(chǎng)的龍頭企業(yè)，市占率最高，但已經(jīng)從2000年的約80%下降至2017年的約37%。

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          國(guó)內(nèi)拋光液的需求量約為全球需求量的30%，然而國(guó)內(nèi)高端半導(dǎo)體用拋光液的供給商僅有安集科技一家，且其全球市場(chǎng)占有率僅2.44%。安集科技已完成銅及銅阻擋層、硅、氧化物等CMP拋光液產(chǎn)品的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。其中銅及銅阻擋層拋光液技術(shù)水平處于國(guó)際先進(jìn)地位，130nm-28nm產(chǎn)品已量產(chǎn)并進(jìn)入主流晶圓生產(chǎn)商，14nm級(jí)別產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入客戶推廣階段，10nm-7nm級(jí)別產(chǎn)品正在研發(fā)。其前五大客戶包括中芯國(guó)際、臺(tái)積電、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華潤(rùn)微電子和華虹半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi)知名廠商。

在拋光墊方面，全球市場(chǎng)幾乎被美國(guó)陶氏所壟斷，陶氏占據(jù)了全球拋光墊市場(chǎng)約79%的市場(chǎng)份額。國(guó)外其他拋光墊生產(chǎn)商有美國(guó)的Cabot Microelectronics、日本東麗、臺(tái)灣三方化學(xué)等。目前國(guó)內(nèi)從事拋光墊材料生產(chǎn)研究的只有兩家企業(yè)：鼎龍股份和江豐電子。鼎龍股份目前是國(guó)內(nèi)拋光墊研發(fā)和生產(chǎn)龍頭企業(yè)，8英寸拋光墊已經(jīng)獲得國(guó)內(nèi)晶圓代工廠訂單，12英寸拋光墊已經(jīng)獲得中芯國(guó)際的認(rèn)證，2019年上半年也獲得第一張12英寸拋光墊訂單。江豐電子聯(lián)合美國(guó)嘉柏微電子材料股份有限公司，就拋光墊項(xiàng)目進(jìn)行合作。

          03 PART國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)總結(jié)

          國(guó)產(chǎn)替代空間巨大

         2018年，我國(guó)大陸半導(dǎo)體材料銷售額為84.4億美元，占全球份額的16.25%，然而我國(guó)內(nèi)資企業(yè)在國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體市場(chǎng)份額較低，尤其是高端半導(dǎo)體材料，自給率均不超過(guò)10%，嚴(yán)重依賴進(jìn)口。

         目前，半導(dǎo)體材料高端產(chǎn)品大多集中在日本、美國(guó)、德國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣等國(guó)家和地區(qū)生產(chǎn)商。國(guó)內(nèi)由于起步晚，技術(shù)積累不足，整體處于相對(duì)落后的狀態(tài)。目前，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料主要集中在中低端領(lǐng)域，高端產(chǎn)品基本被國(guó)外生產(chǎn)商壟斷。近年來(lái)，在國(guó)家政策的引導(dǎo)下，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料生產(chǎn)商加大了研發(fā)投入，并取得了一定的成效，目前在部分細(xì)分領(lǐng)域，已經(jīng)突破了國(guó)外壟斷，實(shí)現(xiàn)了規(guī)模化供貨。如CMP拋光材料的龍頭企業(yè)安集科技，公司化學(xué)機(jī)械拋光液已在130-28nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)規(guī)?；N售，主要應(yīng)用于國(guó)內(nèi)8英寸和12英寸主流晶圓產(chǎn)線；濺射靶材龍頭江豐電子，16納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)批量供貨，同時(shí)還滿足了國(guó)內(nèi)廠商28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)需求。

          國(guó)家集成電路大基金第二期將重點(diǎn)投資半導(dǎo)體材料

          國(guó)家集成電路大基金二期將重點(diǎn)投資半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域。據(jù)中證報(bào)消息，國(guó)家集成電路大基金二期三月底開(kāi)始實(shí)質(zhì)投資。大基金二期于2019年10月22日注冊(cè)成立，注冊(cè)資本為2041.5億元。國(guó)家集成電路大基金二期更關(guān)注半導(dǎo)體材料及半導(dǎo)體設(shè)備的投資。在這之前的大基金一期于2014年9月成立，募資1387億元，最終撬動(dòng)5150億社會(huì)投資。在大基金一期投資項(xiàng)目中，集成電路制造占67%，設(shè)計(jì)占17%，封測(cè)占10%，裝備材料類占6%?？梢钥闯?，大基金一期的第一著力點(diǎn)是制造領(lǐng)域，首先解決國(guó)內(nèi)代工產(chǎn)能不足、晶圓制造技術(shù)落后等問(wèn)題，投資方向集中于存儲(chǔ)器和先進(jìn)工藝生產(chǎn)線，投資于產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)前三位企業(yè)比重達(dá)70%。國(guó)家集成電路基金對(duì)半導(dǎo)體企業(yè)的扶持作用顯而易見(jiàn)，其培養(yǎng)了一批國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，并且在各自細(xì)分領(lǐng)域擁有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，如中微公司、匯頂科技、國(guó)科微等。

           半導(dǎo)體材料上市公司投資機(jī)會(huì)

           半導(dǎo)體材料各細(xì)分領(lǐng)域龍頭企業(yè)

            半導(dǎo)體材料A股上市公司重要財(cái)務(wù)指標(biāo)對(duì)比

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            注：有研新材暫未公告2019年業(yè)績(jī)快報(bào)

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