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AuSn20 焊料在集成電路密封中形成空洞的研究

2022-03-03 10:55:51 知識(shí)庫(kù) 3145

轉(zhuǎn)自半導(dǎo)體封裝工程師之家

馬艷艷、趙鶴然、田愛(ài)民康敏、李莉瑩、曹麗華

 

摘要:

高可靠集成電路多采用 AuSn20 焊料完成密封,在熔焊過(guò)程中焊縫區(qū)域往往產(chǎn)生密封空洞,這對(duì)電路的氣密性和蓋板焊接強(qiáng)度產(chǎn)生影響,從而造成可靠性隱患。介紹了 AuSn20 焊料密封陶瓷外殼的過(guò)程,闡述了兩種從不同方向制樣和觀察密封空洞的方法,列舉了環(huán)狀空洞、扇形空洞、氣泡狀空洞等幾種典型空洞,并闡述了這幾種空洞的微觀形貌、形成機(jī)理及抑制措施。

 

1 引言

AuSn20 是一種常見(jiàn)的無(wú)鉛焊料,常用于集成電路的芯片粘結(jié)和陶瓷外殼密封。當(dāng) Au 和 Sn 的質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為 80%和 20%時(shí),在 278 ℃的較低溫度下即可完成共晶反應(yīng),也不需要助焊劑。這種焊料導(dǎo)熱率和剪切強(qiáng)度很高,在電子封裝中常用作芯片的焊接材料,又以其較高的穩(wěn)定性、耐腐蝕性和潤(rùn)濕性,在高可靠的氣密封裝中應(yīng)用廣泛。

空洞是一種較為常見(jiàn)的密封質(zhì)量隱患,它的存在會(huì)使產(chǎn)品的封蓋強(qiáng)度和氣密性降低,隨著服役時(shí)間的延長(zhǎng),極易誘發(fā)多種致命的失效模式。高可靠器件對(duì)密封空洞控制有嚴(yán)格要求。AuSn 密封過(guò)程復(fù)雜且伴隨著空洞的生成和消散,在反應(yīng)的不同階段空洞產(chǎn)生的機(jī)理并不唯一??斩葱纬傻挠绊懸蛩赜卸喾N,包括溫度曲線、焊接壓力、原材料表面狀態(tài)、焊料環(huán)設(shè)計(jì)、焊接氣氛等。此外,柯肯達(dá)爾效應(yīng)是化合物間形成空洞的一個(gè)重要原因。

針對(duì)空洞的形成問(wèn)題,文章闡述了 AuSn20 焊料在高可靠陶瓷外殼密封過(guò)程中的反應(yīng)過(guò)程,開(kāi)展了空洞的形貌觀察,討論了幾種典型空洞的微觀形貌、形成機(jī)理及抑制措施。

 

2 AuSn20 焊料密封反應(yīng)過(guò)程

AuSn20 焊料密封反應(yīng)過(guò)程發(fā)生在蓋板(可伐合金)、AuSn20 焊料環(huán)、陶瓷管殼之間,其結(jié)構(gòu)示意圖如圖 1 所示。

AuSn20 焊料工藝曲線包括升溫 AB、保溫 BC、升溫 CD、保溫 DE、降溫 EF 5 個(gè)階段,如圖 2 所示。由于AuSn20 焊料與管殼、蓋板及其鍍層之間有良好的潤(rùn)濕性,一般不易出現(xiàn)由不潤(rùn)濕導(dǎo)致的空洞。同時(shí),在升溫和保溫階段,管殼、蓋板鍍層會(huì)向熔融焊料中熔解、擴(kuò)散。在降溫階段,焊料從熔融狀態(tài)共晶成為固態(tài),密封空洞也在這個(gè)階段最終形成。

 

3 空洞觀察方法

AuSn20 焊料環(huán)本身的厚度只有 50 μm,焊縫內(nèi)空洞的尺寸更小,一般在幾個(gè)微米的量級(jí)。一般采用 X射線照相的方式,從宏觀上整體觀察焊料環(huán)區(qū)域,給出總體空洞率或單個(gè)空洞尺寸占焊縫設(shè)計(jì)寬度的百分比。此外,也可以采用超聲掃描的方法去探測(cè)密封區(qū)域的空洞。

若需要更為直觀地觀察空洞,則必須對(duì)樣品進(jìn)行破壞性物理分析。可以對(duì)待觀察樣品先鑲嵌成規(guī)則樣塊,然后用研磨機(jī)研磨,到達(dá)目標(biāo)區(qū)域后再剖光,然后進(jìn)行 SEM 觀察,為了增強(qiáng)觀察效果,還可以腐蝕、噴金等等。

圖 3 為樣品研磨位置和觀察截面的示意圖。可以解剖到研磨位置 1,從觀察方向 1 來(lái)觀察焊縫的端面,得到由焊料環(huán)內(nèi)部到外部的截面圖;也可以解剖到研磨位置 2,從觀察方向 2 觀察焊縫的整個(gè)側(cè)面區(qū)域。

 

圖 4 給出了從研磨位置 1 觀察到的焊縫端面微觀結(jié)構(gòu)。從圖中可以看出,大量空洞彌散在焊縫內(nèi),未呈現(xiàn)集聚狀態(tài),較大的空洞長(zhǎng)度在 60 μm 左右,較小的空洞不足 5 μm。空洞均位于焊縫中間區(qū)域,在焊縫與母材界面處未發(fā)現(xiàn)由潤(rùn)濕不良引起的空洞。

圖 5 給出了另一只電路樣品從研磨位置 2 觀察到的焊縫側(cè)面微觀結(jié)構(gòu)。從圖中可以看出,該電路封蓋焊接過(guò)程中控制較好,焊縫中未見(jiàn)明顯空洞,焊縫的高度約 35 μm,與焊料環(huán)的初始高度 50 μm 相比略有下降。

 

4 幾種典型空洞


4.1 環(huán)狀空洞 

在采用 AuSn20 焊料環(huán)封蓋的樣品 X 射線照相圖片上可以發(fā)現(xiàn)幾種密封空洞,其中最典型的是環(huán)狀空洞,如圖 6 所示。這類空洞并非是單個(gè)的,而是非常均勻地出現(xiàn)在焊料環(huán)的四周,分布在位于焊料環(huán)內(nèi)側(cè)、離焊料環(huán)內(nèi)側(cè)邊緣有一段距離的區(qū)域,多個(gè)空洞連接成線,構(gòu)成環(huán)狀。

因?yàn)楹噶夏毯涂斩葱纬傻倪^(guò)程不易直觀觀察到,目前尚沒(méi)有人確切地指出環(huán)狀空洞的形成機(jī)理。很可能是由于焊料在降溫階段存在溫度梯度,環(huán)境溫度先于內(nèi)腔氮?dú)饨档偷焦簿c(diǎn)以下,此時(shí)焊料 a 端先結(jié)晶凝固,如圖 7 所示。隨著溫度的繼續(xù)降低,內(nèi)腔氮?dú)鈮簭?qiáng)逐步下降,焊料與蓋板之間的潤(rùn)濕平衡被打破,對(duì)焊料 b 端產(chǎn)生進(jìn)一步向內(nèi)的趨勢(shì),直至溫度也達(dá)到共晶點(diǎn)。在爭(zhēng)奪當(dāng)中,空洞在 c 處長(zhǎng)大。同時(shí),焊料環(huán)寬度與焊縫寬度差距較大,導(dǎo)致密封過(guò)程中焊料量不足,難以鋪滿密封區(qū),這也是形成空洞的原因。

 

一些機(jī)構(gòu)嘗試增加焊料用量,可以起到減弱環(huán)狀空洞的效果,或在密封區(qū)域不變的前提下減小焊縫寬度,可以大幅降低空洞率,不過(guò)這樣也容易導(dǎo)致焊料爬蓋,或因焊料過(guò)多而引發(fā)顆粒噪聲問(wèn)題。也有機(jī)構(gòu)嘗試增加焊接壓力,這對(duì)抑制空洞的形成很有效,但同時(shí)也會(huì)引起焊料內(nèi)溢,為顆粒噪聲埋下隱患。

消除環(huán)狀空洞是一個(gè)系統(tǒng)性工程,需要做好蓋板、焊料環(huán)比例、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),并采用適當(dāng)?shù)暮附訅毫?。首先,在不引起顆粒噪聲的前提下,應(yīng)盡量設(shè)計(jì)更多的焊料,可以按照等體積法來(lái)計(jì)算:熔化后厚度 30μm,熔化后鋪滿密封區(qū),熔化前焊料環(huán)厚度 50 μm,推導(dǎo)出理想的焊料環(huán)寬度。進(jìn)一步,考慮到環(huán)狀空洞出現(xiàn)的位置總是在靠近內(nèi)腔的區(qū)域,因此應(yīng)該將焊料環(huán)設(shè)計(jì)在密封區(qū)偏內(nèi)側(cè)的位置,從而有針對(duì)性地對(duì)內(nèi)側(cè)提供充足的焊料。對(duì)于常見(jiàn)的陶瓷外殼,壓力在 3~5 N 為優(yōu)選。壓力過(guò)小導(dǎo)致縫隙大,焊料熔融后填隙能力差;壓力過(guò)大又會(huì)導(dǎo)致蓋板變形等問(wèn)題,引發(fā)扇形空洞。

 

4.2 扇形空洞

另一種比較典型的空洞是扇形空洞,這類空洞多出現(xiàn)在焊料環(huán)的轉(zhuǎn)角處,如圖 8 所示。

扇形空洞在大尺寸電路中較為常見(jiàn),其形成原因主要是:在施加封蓋壓力時(shí),夾具往往作用在蓋板中心區(qū)域,其下方正是管殼的空腔,這會(huì)導(dǎo)致蓋板發(fā)生輕微變形。大尺寸電路封蓋時(shí)所需施加的焊接壓力也較大,其變形程度也較大,這使得蓋板在轉(zhuǎn)角處翹曲,導(dǎo)致 4 個(gè)轉(zhuǎn)角處蓋板與管殼之間的距離要比 4 個(gè)邊及中間區(qū)域大。這導(dǎo)致焊接壓力在焊料上的不均勻分布,如圖 9(a)所示。在焊接壓力不足的情況下,轉(zhuǎn)角處焊料流速降低,呈現(xiàn)縱向堆積,如圖 9(b)所示。這樣一來(lái),填滿同樣大小的面積轉(zhuǎn)角處就需要更多的焊料量。但轉(zhuǎn)角區(qū)域的焊料是有限的,焊料缺少的部分就形成了大量空洞。另一種形成扇形空洞的原因是原材料造成的密封壓力不均勻,早期的陶瓷外殼制備工藝不成熟,金屬化密封區(qū)的狀態(tài)差,表現(xiàn)為陶瓷基體的平面度較差,這樣即使提供了相對(duì)均勻的密封壓力,作用在平面度較差的密封區(qū)后也會(huì)形成焊接壓力不均勻的狀況,導(dǎo)致扇形空洞。

解決這類空洞的主要方法是避免蓋板發(fā)生翹曲。有的機(jī)構(gòu)采用倒封方式完成密封,將蓋板放置在載物臺(tái)上,管殼在蓋板上,再在管殼背面放置重塊等物體,施加密封壓力,這樣可以避免蓋板形變。

此外,在密封過(guò)程中,給蓋板增加不易形變的墊片也是一個(gè)好方法。這樣,密封壓力首先作用在墊片上,再通過(guò)墊片均勻施加在蓋板上,避免壓力過(guò)大而不均勻?qū)е碌纳w板變形。此外,早些年有研究表明,陶瓷外殼金屬化密封區(qū)的狀態(tài)也很重要,如果做金屬環(huán)扇形空洞就不會(huì)出現(xiàn)。同時(shí),若原材料金屬化密封區(qū)的狀態(tài)差,可以在密封區(qū)加裝平面度較高的金屬環(huán)。

 

4.3 氣泡狀空洞

圖 10 給出了一種大量彌散在焊縫區(qū)域中的空洞。這類空洞由眾多小的空洞組成,這些空洞在焊料環(huán)外邊緣處開(kāi)始滋生,并向內(nèi)側(cè)蔓延。對(duì)焊縫進(jìn)行剖面觀察,結(jié)果如圖 11 所示,從圖中可以看出,大量大小不一的氣泡狀空洞彌散在焊縫中,焊縫的高度甚至高于焊料環(huán)的初始厚度,并且蓋板鍍鎳層與焊縫之間的界面變得不確定。

氣泡狀空洞的形成機(jī)理主要是密封溫度過(guò)高,焊料熔融時(shí)間過(guò)長(zhǎng)。在保持其他條件不變的情況下,將密封峰值溫度從 310 ℃逐步增加,可以觀察到氣泡狀空洞帶的變化趨勢(shì)。起初只能在靠近密封區(qū)外側(cè)邊緣位置找到個(gè)別微小的氣泡狀空洞;隨著峰值溫度增加到 330 ℃,氣泡狀空洞沿著密封區(qū)外側(cè)邊緣位置開(kāi)始聚集;當(dāng)峰值溫度繼續(xù)增加,氣泡狀空洞帶的寬度開(kāi)始向內(nèi)蔓延,直至鋪滿整個(gè)密封區(qū)。適當(dāng)降低密封溫度可以減少氣泡狀空洞,降低焊縫高度。

此外,在外殼制作工藝中,如果沒(méi)有特別提出排氫要求,在密封時(shí)易轉(zhuǎn)化為焊縫中的空洞。這是因?yàn)樵诟邷孛芊膺^(guò)程中,本體和鍍層有氣體釋放出來(lái)或者污染物裂解形成氣泡。主要應(yīng)對(duì)措施是在密封前預(yù)先高溫烘焙原材料以排除不良因素。

 

5 結(jié)論

 

文章介紹了 AuSn20 密封陶瓷外殼的過(guò)程中觀察密封空洞的方法,列舉了環(huán)狀空洞、扇形空洞、氣泡狀空洞等幾種典型空洞。

消除環(huán)狀空洞的關(guān)鍵在于做好蓋板、焊料環(huán)比例、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),從而對(duì)焊料環(huán)內(nèi)側(cè)充分補(bǔ)充焊料,避免空洞。扇形空洞的成因主要是焊料環(huán)轉(zhuǎn)角處受壓力不足,應(yīng)盡量避免蓋板翹曲,從而使密封壓力均勻施加在蓋板、焊料環(huán)上。氣泡狀空洞形成的主要因素是密封峰值溫度,在保證氣密性的前提下采用較低的密封峰值溫度是一個(gè)良好的選擇。

 

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