MEMS封裝技術(shù)的發(fā)展及應(yīng)用
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(本文轉(zhuǎn)自電子工程世界:http://www.eeworld.com.cn/qrs/2011/1024/article_7067.html)
1、引言
當(dāng)
前,國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體集成電路科研水平已基本具備將一些復(fù)雜的機(jī)電系統(tǒng)集成制作在芯片上的能力,幾乎整個(gè)1000億美元規(guī)模的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施都可以用來(lái)支持
MEMS技術(shù),那些被批量制造的、同時(shí)包含尺寸在納米到毫米量級(jí)的電子與機(jī)械元器件構(gòu)成的MEMS,成為國(guó)際上微電子系統(tǒng)集成發(fā)展的新方向。多門類實(shí)用的MEMS演示樣品向早期產(chǎn)品演繹,可批量生產(chǎn)的微加速度計(jì)、力敏傳感器、微陀螺儀、數(shù)字微鏡器件、光開關(guān)等的商品化日趨成熟,初步形成100億美元的市場(chǎng)規(guī)模,年增長(zhǎng)率在30%以上。當(dāng)MEMS與其他技術(shù)交融時(shí),往往還會(huì)催生一些新的MEMS器件,為微電子技術(shù)提供了非常大的市場(chǎng)和創(chuàng)新機(jī)遇,有可能在今后數(shù)十年內(nèi)引發(fā)一場(chǎng)工業(yè)革命。然而,實(shí)現(xiàn)MEMS的商品化、市場(chǎng)化還面臨許多挑戰(zhàn),尚有很多產(chǎn)業(yè)化的技術(shù)難題需要進(jìn)行深層次的研究、解決,尤其是MEMS封裝技術(shù)的發(fā)展相對(duì)滯后,在某些方面形成封裝障礙,使得很多MEMS器件的研發(fā)仍暫時(shí)停留在實(shí)驗(yàn)室階段,首先解決這一通往市場(chǎng)的瓶頸,促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈提速運(yùn)轉(zhuǎn)已成為各界共識(shí)。
2、MEMS封裝的特點(diǎn)
MEMS技術(shù)是一門相當(dāng)?shù)湫偷亩鄬W(xué)科交叉滲透、綜合性強(qiáng)、時(shí)尚前沿的研發(fā)領(lǐng)域,幾乎涉及到所有自然及工程學(xué)科內(nèi)容,以單晶硅Si、Si02、SiN、
SOI等為主要材料。Si機(jī)械電氣性能優(yōu)良,其強(qiáng)度、硬度、楊式模量與Fe相當(dāng),密度類似A1,熱傳導(dǎo)率也與Mo和W不相上下。在制造復(fù)雜的器件結(jié)構(gòu)時(shí),
現(xiàn)多采用的各種成熟的表面微bD工技術(shù)以及體微機(jī)械加工技術(shù),正向以LIGA(即深度x射線刻蝕、微電鑄成型、塑料鑄模等三個(gè)環(huán)節(jié)的德文縮寫)技術(shù)、微粉
末澆鑄、即刻掩膜EFAB為代表的三維加工拓展。因而MEMS封裝具有與IC芯片封裝顯著不同的自身特殊性:
(1)專用性
MEMS中通常都有一些可動(dòng)部分或懸空結(jié)構(gòu)、硅杯空腔、梁、溝、槽、膜片,甚至是流體部件與有機(jī)部件,基本上是靠表面效應(yīng)工作的。封裝架構(gòu)取決于MEMS器件及用途,對(duì)各種不同結(jié)構(gòu)及用途的MEMS器件,其封裝設(shè)計(jì)要因地制宜,與制造技術(shù)同步協(xié)調(diào),專用性很強(qiáng)。
(2)復(fù)雜性
根
據(jù)應(yīng)用的不同,多數(shù)MEMS封裝外殼上需要留有同外界直接相連的非電信號(hào)通路,例如,有傳遞光、磁、熱、力、化等一種或多種信息的輸入。輸入信號(hào)界面復(fù)
雜,對(duì)芯片鈍化、封裝保護(hù)提出了特殊要求。某些MEMS的封裝及其技術(shù)比MEMS還新穎,不僅技術(shù)難度大,而且對(duì)封裝環(huán)境的潔凈度要求達(dá)到100級(jí)。
(3)空間性
為給MEMS可活動(dòng)部分提供足夠的活動(dòng)、可動(dòng)空間,需要在外殼上刻蝕或留有一定的槽形及其他形狀的空間,灌封好的MEMS需要表面上的凈空,封裝時(shí)能提供一個(gè)十分有效的保護(hù)空腔。
(4)保護(hù)性
在
晶片上制成的MEMS在完成封裝之前,始終對(duì)環(huán)境的影響極其敏感。MEMS封裝的各操作工序、劃片、燒結(jié)、互連、密封等需要采用特殊的處理方法,提供相應(yīng)
的保護(hù)措施,裝網(wǎng)格框架,防止可動(dòng)部位受機(jī)械損傷。系統(tǒng)的電路部分也必須與環(huán)境隔離保護(hù),以免影響處理電路性能,要求封裝及其材料不應(yīng)對(duì)使用環(huán)境造成不良
影響。
(5)可靠性
MEMS使用范圍廣泛,對(duì)其封裝提出更高的可靠性要求,尤其要求確保產(chǎn)品在惡劣條件下的安全工作,免受有害環(huán)境侵蝕,氣密封裝能發(fā)散多余熱量。
(6)經(jīng)濟(jì)性
MEMS封裝主要采用定制式研發(fā),現(xiàn)處于初期發(fā)展階段,離系列化、標(biāo)準(zhǔn)化要求尚遠(yuǎn)。其封裝在整個(gè)產(chǎn)品價(jià)格中占有40%-90%的比重,降低封裝成本是一個(gè)熱門話題。
總
而言之,IC封裝和MEMS封裝這兩者最大的區(qū)別在于MEMS一般要和外界接觸,而IC恰好相反,其封裝的主要作用就是保護(hù)芯片與完成電氣互連,不能直接
將IC封裝移植于更復(fù)雜的MEMS。但從廣義上講,MEMS封裝形式多是建立在標(biāo)準(zhǔn)化的IC芯片封裝架構(gòu)基礎(chǔ)上。目前的技術(shù)大多沿用成熟的微電子封裝工
藝,并加以改進(jìn)、演變,適應(yīng)MEMS特殊的信號(hào)界面、外殼、內(nèi)腔、可靠性、降低成本等要求。
3、MEMS封裝的發(fā)展
MEMS的發(fā)展目標(biāo)在于通過(guò)微型化、集成化來(lái)探索新原理、新功能的元器件與系統(tǒng),開辟一個(gè)新技術(shù)領(lǐng)域和產(chǎn)業(yè),其封裝就是確保這一目標(biāo)的實(shí)現(xiàn),起著舉足輕重
的作用。幾乎每次國(guó)際性MEMS會(huì)議都會(huì)對(duì)其封裝技術(shù)進(jìn)行熱烈討論,多元化研發(fā)另辟蹊徑。各種改進(jìn)后的MEMS封裝不斷涌現(xiàn),其中較有代表性的思路是涉及
物理、化學(xué)、生物、微機(jī)械、微電子的集成微傳感器及其陣列芯片系統(tǒng),在實(shí)現(xiàn)MEMS片上系統(tǒng)后,再進(jìn)行封裝;另一種是將處理電路做成專用芯片,并與
MEMS組裝在同一基板上,最后進(jìn)行多芯片組件MCM封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝SIP。在商用MEMS產(chǎn)品中,封裝是最終確定其體積、可靠性、成本的關(guān)鍵技術(shù),期
待值極高。
MEMS封裝大致可分為圓片級(jí)、單片全集成級(jí)、MCM級(jí)、模塊級(jí)、SIP級(jí)等多個(gè)層面。圓片級(jí)給MEMS制作的前、后道工序提供了一個(gè)技術(shù)橋梁,整合資
源,具有倒裝芯片封裝與芯片尺寸封裝的特點(diǎn),對(duì)靈敏易碎的元件、執(zhí)行元件進(jìn)行特殊鈍化保護(hù),使其免受有害工作介質(zhì)和潮汽侵蝕,不受或少受其他無(wú)關(guān)因素的干
擾,避免降低精度,完成MEMS芯片與基座(或管殼)的焊接和鍵合;單片全集成級(jí)封裝要對(duì)一個(gè)集成在同一襯底上的微結(jié)構(gòu)和微電路進(jìn)行密封,使之成為一個(gè)可
供應(yīng)用的完整系統(tǒng)產(chǎn)品,尺寸小,內(nèi)部互連長(zhǎng)度短,電氣特性好,輸出/人接點(diǎn)密度高,是MEMS封裝發(fā)展的較理想方案;MCM級(jí)將MEMS和信號(hào)處理芯片組
裝在一個(gè)外殼內(nèi),常采用成熟的淀積薄膜型多芯片組件MCM-D、混合型多芯片組件MCM-C/D、厚膜陶瓷多芯片組件MCM-C的工藝與結(jié)構(gòu)達(dá)到高密度、
高可靠性封裝,可以充分利用已有的條件和設(shè)備,分別制作MEMS的不同部分。這類封裝在小體積、多功能、高密度、提高生產(chǎn)效率方面顯出優(yōu)勢(shì);模塊級(jí)封裝旨
在為MEMS設(shè)計(jì)提供一些模塊式的外部接口,一般分為光學(xué)接口、流體接口、電學(xué)接口,接口數(shù)據(jù)則由總線系統(tǒng)傳輸,從而使MEMS能使用統(tǒng)一的、標(biāo)準(zhǔn)化的封
裝批量生產(chǎn),減少在封裝設(shè)備上的投資,降低成本,縮短生產(chǎn)周期,并要求封裝可以向二維空間自由擴(kuò)展和連接,形成模塊,完成某些功能,保證盡可能高的封裝密
度;SiP稱為超集成策略,在集成異種元件方面提供了最大的靈活性,適用于射頻RF-MEMS的封裝,在目前的通信系統(tǒng)使用了大量射頻片外分立單元,無(wú)源
元件(電容、電感、電阻等)占到射頻系統(tǒng)元件數(shù)目的80%-90%,占基板面積的70%-80%,這些可MEMS化來(lái)提高系統(tǒng)集成度及電學(xué)性能,但往往沒(méi)
有現(xiàn)成的封裝可以利用,而SiP是一種很好的選擇,完成整個(gè)產(chǎn)品的組裝與最后封裝。
在MEMS封裝技術(shù)中,倒裝芯片互連封裝以其高I/O
密度、低耦合電容、小體積、高可靠性等特點(diǎn)而獨(dú)具特色,可將幾個(gè)不同功能的MEMS芯片通過(guò)倒裝互連組裝在同一塊基板上,構(gòu)成一個(gè)獨(dú)立的系統(tǒng)。倒裝芯片正
面朝下,朝下的光電MEMS可靈活地選擇需要接收的光源,而免受其他光源的影響。研究表明,通過(guò)化學(xué)鍍沉積柔性化凸點(diǎn)下金屬層UBM、焊膏印刷和凸點(diǎn)轉(zhuǎn)移
在芯片上形成凸點(diǎn)的這一套工藝的設(shè)備要求不高,
町作為倒裝芯片封裝結(jié)構(gòu)用于力敏MEMS,尤其適合各研究機(jī)構(gòu)為MEMS開發(fā)的單件小批量的倒裝芯片封裝。而使用光刻掩膜、電鍍和回流的方法形成凸點(diǎn)的
UBM,卻適合工業(yè)化大批量生產(chǎn)的MEMS壓力傳感器。采用倒裝芯片互連技術(shù)的MEMS封裝已取得多方面進(jìn)展,成為研發(fā)熱點(diǎn)。
在實(shí)際應(yīng)用
中,MEMS的封裝可能是采用多種技術(shù)的結(jié)合。嚴(yán)格地講,有些封裝技術(shù)并無(wú)明顯的差異和界定,另一些卻與微電子封裝密切相關(guān)或相似,高密度封裝、大腔體管
殼與氣密封裝、晶片鍵合、芯片的隔離與通道、倒裝芯片、熱學(xué)加工、柔性化凸點(diǎn)、準(zhǔn)密封封裝技術(shù)等倍受關(guān)注。用于MEMS封裝的材料主要有陶瓷、金屬、鑄模
塑料等數(shù)種,高可靠性產(chǎn)品的殼體大多采用陶瓷—金屬、陶瓷—玻璃、金屬—玻璃等結(jié)構(gòu),各有特點(diǎn),滿足MEMS封裝的特殊信號(hào)界面、外殼性能等要求。
4、MEMS封裝的應(yīng)用
MEMS是當(dāng)代國(guó)際矚日的重大科技探索前沿陣地之一,新研發(fā)的MEMS樣品不斷被披露出來(lái),從敏感MEMS拓展到全光通信用光MEMS、移動(dòng)通信前端的
RF-MEMS、微流體系統(tǒng)等信息MEMS。光MEMS包括微鏡陣列、光開關(guān)、可變衰減器、無(wú)源互連耦合器、光交叉連接器、光分插復(fù)用器和波分復(fù)用器
等,MEMS與光信號(hào)有著天然的親和力;RF-MEMS包括射頻開關(guān)、可調(diào)電容器、電感器、諧振器、濾波器、移相器、天線等關(guān)鍵元器件;微流體系統(tǒng)包括微
泵、微閥、微混合器、微流體傳感器等,可對(duì)微量流體進(jìn)行輸運(yùn)、組分分析和分離以及壓力、流量、溫度等參數(shù)的在線測(cè)控。MEMS正處在蓬勃發(fā)展時(shí)期,產(chǎn)業(yè)鏈
和價(jià)值鏈的形成是需要鏈中各環(huán)節(jié)的共同努力和密切合作的,封裝不可缺位。
4.1 微加速度計(jì)
MEMS最成功的產(chǎn)品是微加速度計(jì),通常由一個(gè)懸臂構(gòu)成,梁的一端固定,另一端懸掛著一個(gè)約10μg的質(zhì)量塊,由此質(zhì)量塊敏感加速度后,轉(zhuǎn)換為電信號(hào),經(jīng)
C/V轉(zhuǎn)換、放大、相敏解調(diào)輸出。有的廠家月產(chǎn)達(dá)200萬(wàn)件,研發(fā)出20余種型號(hào)產(chǎn)品,主要用于汽車安全氣囊系統(tǒng)和穩(wěn)定系統(tǒng)的慣性測(cè)量,國(guó)際市場(chǎng)年需求量
在1億件以上。在市場(chǎng)上較其他類MEMS取得商業(yè)化快速進(jìn)展的原因是更適宜采用標(biāo)準(zhǔn)的IC封裝,提供一個(gè)相應(yīng)的微機(jī)械保護(hù)環(huán)境,無(wú)需開發(fā)特殊的外殼結(jié)構(gòu),
從XL50圓型陶瓷封裝演進(jìn)到XL276型8腳陶瓷雙列直插式、XL202型14腳陶瓷表面貼裝式封裝,目前逐漸被更小的XL202E型8引腳陶瓷表面貼
裝所取代,可耐高溫和強(qiáng)烈的機(jī)械振動(dòng)、酸堿腐蝕。Low-G系列產(chǎn)品采用流行的方形平面無(wú)引腳QFN-16封裝,有的采用16腳雙列直插式或單列直插式塑
料封裝。采用MCM技術(shù)通常能在一個(gè)MEMS封裝中納入更復(fù)雜的信號(hào)調(diào)節(jié)功能芯片。
4.2 微陀螺儀
MEMS微陀螺儀多利用振動(dòng)來(lái)檢測(cè)旋轉(zhuǎn)的角速度信號(hào),正加速研制高精度、低成本、集成化、抗高沖擊的產(chǎn)品,研究在芯片上制造光纖陀螺,小批量生產(chǎn)硅
MEMS陀螺(俗稱芯片陀螺)和MEMS石英壓電速率陀螺,用于全球衛(wèi)星定位系統(tǒng)精確制導(dǎo)的信號(hào)補(bǔ)償、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、飛行器、天線穩(wěn)定系統(tǒng)等。有采用無(wú)引
線陶瓷芯片載體LCCC封裝、混合集成封裝、MCM封裝、單管殼系統(tǒng)封裝的微陀螺儀,將慣性傳感器與控制專用電路封裝為一體,要求內(nèi)部必須是真空氣密條
件。
4.3 力敏傳感器
以MEMS技術(shù)為基礎(chǔ)的微型化、多功能化、集成化、智能化的力敏傳感器獲得商業(yè)化應(yīng)用。其中,硅MEMS壓力傳感器的使用最廣泛,基本工藝流程分為力敏彈性膜片(硅杯)和組裝兩大過(guò)程,在紐裝中如何避免附加應(yīng)力的產(chǎn)生是封裝工藝的關(guān)鍵,采用靜電封接獨(dú)具特色,將
力敏彈性膜片與玻璃環(huán)通過(guò)靜電封接機(jī)封接為一體,形成膜片基體,背面接受壓力結(jié)構(gòu)增加膜片的固定支撐厚度,然后鍵合內(nèi)引線、粘結(jié)、焊外引線、老化處理、零
點(diǎn)補(bǔ)償、密封、靜電標(biāo)定等完成整個(gè)封裝過(guò)程:封裝技術(shù)向低溫玻璃封接、激光硅—玻璃封接發(fā)展。
4.4 表面貼裝麥克風(fēng)
全球首款表
面貼裝Si
Sonic微型麥克風(fēng)的部件采用MEMS技術(shù)制造,并將其與一個(gè)CMOS電荷泵IC、兩個(gè)RF濾波電容集成在一個(gè)封裝中,組成一個(gè)表面貼裝器件。這種表面
貼裝的封裝形式適合大批量自動(dòng)裝配生產(chǎn),生產(chǎn)效率極大提高,而目前采用傳統(tǒng)電容式麥克風(fēng)ECM是手工貼裝,缺乏規(guī)模經(jīng)濟(jì)性。前者總體只有ECM的一半大
小,投影面積是更小的8.61mm2,有望取代一直在便攜式應(yīng)用中占主導(dǎo)地位的ECM。
4.5 數(shù)字微鏡器件
數(shù)字微鏡器件
DMD(DIGITAL Micromirror
DEVICE)主芯片含有超過(guò)150萬(wàn)個(gè)能被精確控制、獨(dú)立轉(zhuǎn)動(dòng)的微鏡,可用于光通信及數(shù)字投影裝置、背投彩電等,其成像原理是由微鏡±10°的轉(zhuǎn)動(dòng)控制
光信號(hào)通斷,透鏡成像并投影到屏幕上,優(yōu)勢(shì)是光效高、色彩豐富逼真、亮度易作到2000流明甚至更高、對(duì)比度2000:1、可靠性好、平均壽命約為50
年,現(xiàn)銷售量超過(guò)300萬(wàn)套。DMD采用帶有透明窗口的密封封裝形式,用陶瓷作為基底,玻璃作為窗口,同時(shí)使用了吸氣劑,去除可能會(huì)對(duì)器件可靠性造成危害
的濕氣、氫以及其他一些物質(zhì)微粒,其封裝能夠保證器件內(nèi)干燥、密封并有一個(gè)透明的窗口確保光路的暢通。
4.6 MEMS光開關(guān)
用
MEMS技術(shù)制作的光開關(guān)是將光機(jī)械結(jié)構(gòu)、微制動(dòng)器、微光元件在同一基底上集成,具有傳統(tǒng)光機(jī)械開關(guān)和波導(dǎo)開關(guān)的特點(diǎn),二維和三維MEMS光開關(guān)已有商業(yè)
化的產(chǎn)品面世,開展對(duì)一維的研究,多采用組件或隔離密封式、模塊形式封裝,其典型代表為MEMS-5200系列交換模塊。有些產(chǎn)品能夠接受來(lái)自數(shù)十條光纖
的輸入信號(hào),并可將其路由到其他幾百條光纖中去,采用這種產(chǎn)品的主要理由是避免花費(fèi)昂貴、且難處理的大量光—電轉(zhuǎn)換和電—光轉(zhuǎn)換,要達(dá)到這一目的,就要
求,于關(guān)與光纖以及其他器件之間進(jìn)行幾百次甚至幾千次的連接,采用同光纖相適應(yīng)的封裝,封裝及接頭技術(shù)甚至比MEMS還新穎,并要盡可能減小溫度、濕度、
振動(dòng)以及其他環(huán)境因素對(duì)封裝光開關(guān)的影響。MEMS光開關(guān)市場(chǎng)上尚缺乏共同的封裝技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),因批量小、技術(shù)難度大而價(jià)格特別昂貴,封裝工藝、封裝材料、性
能測(cè)試等的不斷改進(jìn)是熱點(diǎn)關(guān)注的話題。封裝技術(shù)還需要更大的發(fā)展,才能充分體現(xiàn)出MEMS光開關(guān)在全光網(wǎng)中可擴(kuò)展地完成各種光交換的關(guān)鍵作用的特性。
4.7 RF-MEMS
RF-MEMS可彌補(bǔ)CMOS工藝的不足,MEMS技術(shù)制作的無(wú)源元件有益于系統(tǒng)集成度與電學(xué)性能的提高、成本降低,成為國(guó)際頂級(jí)半導(dǎo)體廠商拓展硅芯片應(yīng)
用范圍的研發(fā)方向。RF-MEMS開關(guān)的實(shí)用化獲得相當(dāng)大的進(jìn)展,往往沒(méi)有現(xiàn)成的封裝可以直接使用,因而需尋求解決方案,SIP首當(dāng)其沖。SIP從RF-
MEMS設(shè)計(jì)階段即考慮封裝問(wèn)題,無(wú)源元件的集成方式、封裝結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)、封裝工藝流程、系統(tǒng)內(nèi)芯片間的互連、封裝材料的選擇等尤為關(guān)鍵。SIP中內(nèi)含表面
安裝器件、集成式無(wú)源元件、存儲(chǔ)器芯片、CMOS芯片、GaAs高性能功率放大器,在基板上可用高密度互連技術(shù)制作掩埋式無(wú)源元件、傳輸線等,簡(jiǎn)化系統(tǒng)結(jié)
構(gòu),降低寄生效應(yīng)與損耗,提高應(yīng)用頻率范圍,縮短產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間。
5、結(jié)束語(yǔ)
MEMS以及微光電子機(jī)械系統(tǒng)MOEMS、納米電子機(jī)械系統(tǒng)NEMS的研發(fā)為新的技術(shù)革命提供了大量機(jī)遇。不同的MEMS要求具體相應(yīng)的封裝結(jié)構(gòu),封裝技
術(shù)的特異性高,引發(fā)出大量的封裝問(wèn)題亟待解決。據(jù)國(guó)外權(quán)威統(tǒng)計(jì)公司SPC的統(tǒng)計(jì),國(guó)內(nèi)MEMS的研究處于世界前八位,可批量生產(chǎn)MEMS力敏傳感器,研制
成功MEMS光開關(guān)、RF-MEMS開關(guān)、微流體系統(tǒng)等多種原理樣品,從總體水平上看,與國(guó)外的差距主要體現(xiàn)在產(chǎn)業(yè)化技術(shù)上。選擇一些應(yīng)用量大、面廣的
MEMS及其封裝作為發(fā)展和市場(chǎng)切人點(diǎn),形成產(chǎn)業(yè),滿足市場(chǎng)需求,為發(fā)展其他MEMS打下基礎(chǔ)、摸索出規(guī)律,這樣就成功了一半。沒(méi)有一項(xiàng)MEMS的研發(fā)會(huì)
漠視封裝技術(shù),沒(méi)有封裝的跟進(jìn)是不現(xiàn)實(shí)的。
從國(guó)外發(fā)展趨勢(shì)看,MEMS的封裝類別一般都沿用已經(jīng)標(biāo)準(zhǔn)化的IC封裝結(jié)構(gòu)形式,或者加以改進(jìn)
來(lái)適應(yīng)MEMS要求,力爭(zhēng)采用更多的現(xiàn)有IC封裝架構(gòu)實(shí)現(xiàn)MEMS的封裝。采用新型封裝結(jié)構(gòu)及其技術(shù),建立MEMS封裝單元庫(kù),注重成本的新封裝結(jié)構(gòu)與
MEMS研發(fā)之間的進(jìn)一步整合,成為另一個(gè)發(fā)展趨勢(shì)。
在MEMS問(wèn)題上,若就其封裝展開充分的探討,則各有各的方式,市場(chǎng)角逐要選擇對(duì)路產(chǎn)品,在市場(chǎng)引導(dǎo)下組建起MEMS的完整產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)侵档闷诖?/p>
公司提供的預(yù)成型焊片用于大功率LED芯片和激光器的芯片粘接,光電器件中發(fā)射器,接收器和放大器等封裝中的通孔粘接,引線絕緣子的焊接,微波系統(tǒng)及其它相關(guān)領(lǐng)域。
主要產(chǎn)品系列:Au80Sn20,Au88Ge12,Au50Cu50,Au80Cu20,SAC305(Sn96.5Ag3.0Cu0.5)、Sn77.2In20Ag2.8、Sn96.5Ag3.5、SAC405、Sn95Ag5、Ag92.5Cu7.5、純Ag、純Cu、Ag72Cu28、Sn98.5Ag1.0Cu0.5、Sn95.5Ag3.8Cu0.7、Sn96Ag3.5Cu0.5、Sn63Pb37、Pb96.5Sn3.5、Sn62Pb36Ag2、Pb92.5Sn5Ag2.5、Pb67Sn30Sb3、Sn98Cu2、Sn5.5Ag2.5Pb92、Sn、Sn10Ag2Pb88 Sn90Sb10、Sn95Sb5、In52Sn48、In97Ag3、Sn77.2In20Ag2.8、In50Pb50、純In等。
公司除了提供各種標(biāo)準(zhǔn)型和非標(biāo)準(zhǔn)型的貴金屬合金釬焊材料外,還可根據(jù)用戶的要求,提供不同規(guī)格,不同尺寸的有特殊用途的合金焊接材料。