轉(zhuǎn)自：全球物聯(lián)網(wǎng)觀察 2019年8月1日

導(dǎo)語：

中國大陸功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模約占全球40％，但自給率很低，90％的需求依賴進(jìn)口來滿足，由此功率半導(dǎo)體器件被國人寄予了“國產(chǎn)替代”的厚望。

前言

功率半導(dǎo)體器件在電力電子行業(yè)有著非常廣泛的應(yīng)用，是電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)元器件之一，在產(chǎn)業(yè)電子化升級(jí)過程中，越來越得到重視與應(yīng)用。

近年來，萬物互聯(lián)的呼聲越來越高，以汽車、高鐵為代表的交通工具，以光伏、風(fēng)電為代表的新能源領(lǐng)域，以手機(jī)為代表的通信設(shè)備，以電視機(jī)、洗衣機(jī)、空調(diào)、冰箱為代表的消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品，都在不斷提高電子化水平，其中又以新能源汽車的高度電子化最為引人注目；與此同時(shí)，工業(yè)、電網(wǎng)等傳統(tǒng)行業(yè)也在加速電子化進(jìn)程。

幾乎全行業(yè)的電子化發(fā)展，勢(shì)必大大增加了對(duì)功率半導(dǎo)體器件的需求。目前全球的功率半導(dǎo)體器件主要由歐洲、美國、日本三個(gè)國家和地區(qū)提供，他們憑借先進(jìn)的技術(shù)和生產(chǎn)制造工藝，以及領(lǐng)先的品質(zhì)管理體系，大約占據(jù)了全球70％的市場(chǎng)份額。

而在需求端，全球約有39％的功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)能被中國大陸所消耗，是全球最大的需求大國，但其自給率卻僅有10％，嚴(yán)重依賴進(jìn)口。

另外，當(dāng)下中國大陸正尋求轉(zhuǎn)型，要將“中國制造”提升為“中國智造”，許多新技術(shù)、新應(yīng)用都走在了全球前列，如新能源汽車、風(fēng)力發(fā)電等；中國大陸還利用人工智能技術(shù)對(duì)傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)行智能化升級(jí)。未來，中國大陸對(duì)功率半導(dǎo)體器件的需求將會(huì)越來越大；供需矛盾或?qū)⒗^續(xù)被拉大。

為確保本土電子制造業(yè)的平穩(wěn)發(fā)展，國家從資本、政策、產(chǎn)業(yè)鏈等多個(gè)維度對(duì)本土功率器件企業(yè)給予了大力支持。

值此產(chǎn)業(yè)升級(jí)的關(guān)鍵期，本報(bào)告將從市場(chǎng)規(guī)模、市場(chǎng)結(jié)構(gòu)、各主要細(xì)分市場(chǎng)需求以及供需格局幾個(gè)方面高度濃縮地介紹全球功率半導(dǎo)體器件的市場(chǎng)現(xiàn)狀。

在了解了這些信息的基礎(chǔ)上，中國大陸功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展現(xiàn)狀也就躍然紙上，進(jìn)而從國產(chǎn)替代的機(jī)會(huì)點(diǎn)、潛力企業(yè)、短期國際環(huán)境影響等方面展開國產(chǎn)替代分析。

當(dāng)然，第三代半導(dǎo)體材料是功率半導(dǎo)體器件的未來發(fā)展方向，本報(bào)告也會(huì)就國內(nèi)外對(duì)第三代半導(dǎo)體材料的研發(fā)進(jìn)度及本土產(chǎn)業(yè)鏈布局進(jìn)行闡述，以期給大家最完整的信息參考。

功率半導(dǎo)體器件概述

功率半導(dǎo)體器件基本概念

功率半導(dǎo)體器件（Power Semiconductor Device）又稱電力電子器件（Power Electronic Device）。

1940年貝爾實(shí)驗(yàn)室在研究雷達(dá)探測(cè)整流器時(shí)，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng)，1958年美國通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管，標(biāo)志著電力電子技術(shù)的誕生。

從此功率半導(dǎo)體器件的研制及應(yīng)用得到了飛速發(fā)展，并快速成長(zhǎng)為電子制造業(yè)的核心器件之一，還獨(dú)立成為電子電力學(xué)科。

作為制造業(yè)大國，功率半導(dǎo)體器件在中國大陸的工業(yè)、消費(fèi)、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用，具有很高的戰(zhàn)略地位。

功率半導(dǎo)體器件分類

從發(fā)展歷程看，功率半導(dǎo)體器件先后經(jīng)歷了：全盛于六七十年代的傳統(tǒng)晶閘管、近二十年發(fā)展起來的功率MOSFET及其相關(guān)器件，以及由前兩類器件發(fā)展起來的特大功率半導(dǎo)體器件，它們分別代表了不同時(shí)期功率半導(dǎo)體器件的技術(shù)發(fā)展進(jìn)程。

概括來說，功率半導(dǎo)體器件主要有功率模組、功率集成電路（即Power IC，簡(jiǎn)寫為PIC，又稱為功率IC）和分立器件三大類；其中，功率模組是將多個(gè)分立功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行模塊化封裝；功率IC對(duì)應(yīng)將分立功率半導(dǎo)體器件與驅(qū)動(dòng)/控制/保護(hù)/接口/監(jiān)測(cè)等外圍電路集成；而分立功率半導(dǎo)體器件則是功率模塊與功率IC的關(guān)鍵。

圖表1 功率半導(dǎo)體器件分類（來源：中泰證券研究所）

功率半導(dǎo)體器件又可根據(jù)對(duì)電路信號(hào)的可控程度分為全控型、半控型及不可控型；或按驅(qū)動(dòng)電路信號(hào)性質(zhì)分為電壓驅(qū)動(dòng)型、電流驅(qū)動(dòng)型等劃分類別。

常用到的功率半導(dǎo)體器件有Power Diode（功率二極管）、SCR（晶閘管）、GTO（門極可關(guān)斷晶閘管）、GTR（大功率電力晶體管）、BJT（雙極晶體管）、MOSFET（電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、SIT（靜電感應(yīng)晶體管）、BSIT（雙極型靜電感應(yīng)晶體管）、SITH（靜電感應(yīng)晶閘管）、MCT（MOS控制晶閘管）、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IEGT（電子注入增強(qiáng)柵晶體管）、IPEM（集成電力電子模塊）、PEBB（電力電子積木）等。

圖表2 功率半導(dǎo)體器件分類方式及代表類型（來源：電力電子技術(shù)館）

不同功率半導(dǎo)體器件，其承受電壓、電流容量、阻抗能力、體積大小等特性也會(huì)不同，實(shí)際使用中，需要根據(jù)不同領(lǐng)域、不同需求來選用合適的器件。

圖表3 功率半導(dǎo)體器件比較（來源：中信證券研究部）

隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，功率半導(dǎo)體器件在不斷演進(jìn)。自上世紀(jì)80年代起，功率半導(dǎo)體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應(yīng)用類型。

其中IGBT經(jīng)歷了器件縱向結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)以及硅片加工工藝等7次技術(shù)演進(jìn)，目前可承受電壓能力從第四代的3000V躍升到了第七代的6500V，并且實(shí)現(xiàn)了高頻化（10-100kHz）應(yīng)用。

功率半導(dǎo)體器件主要應(yīng)用領(lǐng)域

作為電能/功率處理的核心器件，功率半導(dǎo)體器件主要用于電力設(shè)備的電能變換和電路控制，更是弱電控制與強(qiáng)電運(yùn)行之間的溝通橋梁，主要作用是變頻、變壓、變流、功率放大和功率管理，對(duì)設(shè)備正常運(yùn)行起到關(guān)鍵作用。

與此同時(shí)，功率半導(dǎo)體器件還具有綠色節(jié)能功能，被廣泛應(yīng)用于幾乎所有的電子制造業(yè)，目前正從傳統(tǒng)工業(yè)制造和4C產(chǎn)業(yè)向新能源、電力機(jī)車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)展。

另外，不同的細(xì)分領(lǐng)域，對(duì)功率半導(dǎo)體器件的電壓承受能力要求也不一樣，以IGBT為例，消費(fèi)電子電壓一般在600V以下，太陽能逆變器及新能源汽車要求在600V-1200V，而軌道交通要求最高，范圍在3300V-6500V之間。

圖表4 功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用及工作頻率（來源：Applied Materials）

注：IPM即智能功率模塊，常見類型有IGBT類

功率半導(dǎo)體器件材料迭代演進(jìn)

半導(dǎo)體行業(yè)從誕生至今，先后經(jīng)歷了三代材料的變更歷程，截至目前，功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域仍主要采用以Si為代表的第一代半導(dǎo)體材料。

但隨著功率半導(dǎo)體器件逐漸往高壓、高頻方向發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率半導(dǎo)體器件及其材料已經(jīng)接近物理極限，再往下發(fā)展的空間很有限。

而以砷化鎵（GaAs）為代表的第二代化合物半導(dǎo)體材料又存在成本高、有毒性、環(huán)境污染大等缺點(diǎn)，難以被采用。

于是產(chǎn)業(yè)將目光向以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料聚焦，以期開發(fā)出更能適應(yīng)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的功率半導(dǎo)體器件，目前各國仍在努力布局中。

圖表5 半導(dǎo)體材料比較（來源：電子發(fā)燒友）

功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模

全球市場(chǎng)規(guī)模

綜合Yole、IHS、Gartner多家分析機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)得知，包含功率模塊及功率分立器件在內(nèi)的功率半導(dǎo)體器件在2017年的全球市場(chǎng)規(guī)模為181.5億美元，2018年可達(dá)到187.6億美元。

其中，中國大陸功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模約為全球的40％；并預(yù)估2023年全球功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到221.5億美元規(guī)模，年復(fù)合增長(zhǎng)率為3.38％。

圖表6 全球及中國大陸功率分立器件市場(chǎng)規(guī)模分析（來源：Yole、IHS、Gartner、中國半導(dǎo)體協(xié)會(huì)、賽迪顧問，單位：億美元）

注：中國大陸市場(chǎng)規(guī)模按當(dāng)年匯率換算成美元

功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品市場(chǎng)結(jié)構(gòu)

2017年，功率IC繼續(xù)占據(jù)總體市場(chǎng)的半壁江山；同時(shí)，在“功率模塊+器件”市場(chǎng)結(jié)構(gòu)中，MOSFET、二極管/整流橋、IGBT也占據(jù)了接近一半的市場(chǎng)份額，比例分別為17％、15％、12％。

圖表7 2017年全球功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)結(jié)構(gòu)（來源：Yole、IHS、Gartner）

MOSFET廠商市場(chǎng)份額

據(jù)IHS統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，從市場(chǎng)份額來看，MOSFET幾乎都集中在國際大廠手中，其中英飛凌自2015年收購美國國際整流器公司（International Rectifier）后超越富士電機(jī)一躍成為行業(yè)龍頭；安森美也在2016年9月完成對(duì)仙童半導(dǎo)體的收購后，市占率躍升至第二位。

進(jìn)入2017年，英飛凌的市占率同比再提高0.3％，達(dá)到26.1％，排名前五的企業(yè)合計(jì)占據(jù)了全球62％的市場(chǎng)份額。

前7大廠商排名繼續(xù)保持不變，不過出現(xiàn)了兩個(gè)明顯的變量，一是新增安世半導(dǎo)體的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，并位列全球第8名；二是本土企業(yè)士蘭微市占率提升至2.5％，位列全球第10名。

圖表8 2017年全球MOSFET廠商市場(chǎng)份額（來源：IHS）

中國大陸市場(chǎng)部分，根據(jù)IHS的行業(yè)報(bào)告顯示，2016年英飛凌以25.8％的比例占據(jù)第一位，前三大品牌的市占率超過了50％；而本土企業(yè)中，士蘭微和華微電子分別以1.8％、1.1％的市占率位列第11、第15位。

圖表9 2017年中國大陸MOSFET廠商市場(chǎng)份額（來源：IHS）

IGBT廠商市場(chǎng)份額

作為全控型功率半導(dǎo)體器件的代表，IGBT的重要性日益顯著，已成為全球工業(yè)的重要基礎(chǔ)元件。

目前全球IGBT市場(chǎng)結(jié)構(gòu)與MOSFET類似，主要被5大原廠所長(zhǎng)期壟斷，排名前五的企業(yè)占據(jù)了全球超過70％的市場(chǎng)份額，它們?cè)谥袊箨懲瑯訐碛谐^70％的市占率。

根據(jù)賽迪智庫統(tǒng)計(jì)，2017年英飛凌全球市場(chǎng)份額全球最高，占比達(dá)29％；其后分別為三菱電機(jī)（19％）、富士電機(jī)（12％）、安森美（9％）、ABB（5％）。

圖表10 2017年IGBT全球主要供應(yīng)商市場(chǎng)份額（來源：賽迪智庫）

功率二極管廠商市場(chǎng)份額

功率二極管是中國大陸發(fā)展最好的功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，根據(jù)中國電子信息產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計(jì)年鑒數(shù)據(jù)，2017年全球除Vishay（威世）以11.71％的市占率排名第1外，第2至第8名之間的市場(chǎng)份額差距均不大；又因功率二極管門檻低、毛利小，不少國際大廠正逐漸放棄該類別市場(chǎng)，產(chǎn)能有望向中國大陸和中國臺(tái)灣轉(zhuǎn)移。

另外，從2014年開始，中國大陸的二極管及相關(guān)產(chǎn)品就呈現(xiàn)出出口量超過進(jìn)口量的走勢(shì)；目前中國大陸功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)頭羊揚(yáng)杰科技的功率二極管全球市占率已經(jīng)達(dá)到2.01％。

不過，在美國第45屆總統(tǒng)唐納德·特朗普上任后，中美兩國陷入了有史以來規(guī)模最大的貿(mào)易戰(zhàn)，嚴(yán)重影響了中國電子產(chǎn)品的出口。自2017年年底以來，中國功率二極管的出口數(shù)量已經(jīng)回落到與進(jìn)口數(shù)量大致相當(dāng)。

圖表11 中國二極管及類似半導(dǎo)體器件進(jìn)出口情況（來源：中國電子信息產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計(jì)年鑒，單位：百萬個(gè)）

細(xì)分行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模

工業(yè)領(lǐng)域市場(chǎng)規(guī)模

功率半導(dǎo)體器件在占比最大的工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用非常廣泛，如數(shù)控機(jī)床的伺服電機(jī)、軋鋼機(jī)和礦山牽引、大型鼓風(fēng)機(jī)、發(fā)電系統(tǒng)等的電力電子變頻調(diào)速部分均有采用。

從ABI Research和中商產(chǎn)業(yè)研究院的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)可知，2017年全球工業(yè)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)490億美元，其中功率半導(dǎo)體器件規(guī)模大約為98億美元，占比達(dá)到20％，并以8.6％的年復(fù)合增長(zhǎng)率繼續(xù)成長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2020年，全球工業(yè)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到125億美元。

不僅如此，功率半導(dǎo)體在工業(yè)領(lǐng)域的市場(chǎng)份額比重也在不斷提升，將由2016年的19.7％提升至2020年的20.8％。

圖表12 2016-2020年全球工業(yè)領(lǐng)域半導(dǎo)體整體市場(chǎng)及其功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模分析（來源：ABI Research、中商產(chǎn)業(yè)研究院，單位：億美元）

光伏、風(fēng)電領(lǐng)域市場(chǎng)規(guī)模

光伏、風(fēng)電行業(yè)已經(jīng)成為電力行業(yè)的重要補(bǔ)充，部分國家，如丹麥，40％的電力由風(fēng)電供應(yīng)，中國大陸近幾年可再生新能源發(fā)電量更是快速增長(zhǎng)中根據(jù)中國光伏行業(yè)協(xié)會(huì)、CWEA統(tǒng)計(jì)，2017年全球風(fēng)電新增裝機(jī)量為59.4GW，光伏新增裝機(jī)量約為80GW，合計(jì)帶動(dòng)功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模約為16.6億美元。

中國產(chǎn)業(yè)信息研究院推斷，預(yù)計(jì)2020年全球光伏與風(fēng)電市場(chǎng)將帶動(dòng)功率模塊27.54億美元。其中IGBT模塊市場(chǎng)占比達(dá)到74％，約為20億美元。

圖表13 2015-2020年全球、中國大陸光伏、風(fēng)電市場(chǎng)分析（來源：中國光伏行業(yè)協(xié)會(huì)、CWEA）

汽車領(lǐng)域市場(chǎng)規(guī)模

近年來，最受關(guān)注的應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)槠囆袠I(yè)，正在經(jīng)歷汽車發(fā)展史上最快的電子化轉(zhuǎn)型期，搭載電機(jī)、電池、電控的新能源汽車在汽車總產(chǎn)量中的占比由2014年的0.39％增長(zhǎng)至2017年的1.26％，預(yù)計(jì)2020年占比有望達(dá)到4.65％。

2018年1~8月，中國大陸新能源汽車產(chǎn)銷分別完成60.7萬輛和60.1萬輛，比上年同期分別增長(zhǎng)75.4%和88%；其中，新能源乘用車銷量占比達(dá)87%。

圖表14 全球新能源汽車產(chǎn)量及在總產(chǎn)量中的占比分析（來源：搜狐、中國汽車工業(yè)協(xié)會(huì)）

結(jié)合英飛凌、中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)得知，2017年全球汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模約為347.69億美元，并以3.3％的年復(fù)合增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2020年，全球汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)?？蓴U(kuò)大到383億美元。

與此同時(shí)，功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模也達(dá)到了58億美元，并以6.4％的增速發(fā)展，預(yù)計(jì)到2020年達(dá)到70億美元。功率半導(dǎo)體器件的增長(zhǎng)速度幾乎是汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)增速的2倍，其比重也在不斷增大，將從2014年的15.66％增加到2020年的18.27％。

圖表15 全球汽車半導(dǎo)體、功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模分析（來源：英飛凌、中商產(chǎn)業(yè)研究院、中國汽車工業(yè)協(xié)會(huì)）

充電樁市場(chǎng)規(guī)模

充電樁是與新能源汽車產(chǎn)業(yè)相關(guān)的一大應(yīng)用領(lǐng)域，也是IGBT或MOSFET重要應(yīng)用高地。

現(xiàn)階段，主流直流充電樁的功率在60kw和120kw，如果采用15kw的功率模塊，則需要4個(gè)或8個(gè)功率模塊。目前充電樁的功率模塊有兩種解決方案，一是采用MOSFET芯片，另一種是采用IGBT芯片。

其中IGBT適用于1000V以上、350A以上的大功率直流快充，其成本可達(dá)充電樁總成本的20-30％；只是當(dāng)下基于充電樁功率、工作頻率、電壓、電流、性價(jià)比等綜合因素考量，MOSFET暫時(shí)成為充電樁的主流應(yīng)用功率半導(dǎo)體器件。

不過，近年新能源車采用快充方式越來越多，著眼未來，IGBT才是充電樁的最佳選擇，預(yù)計(jì)未來其將在充電樁領(lǐng)域獲得快速發(fā)展。

由于國內(nèi)外新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)度不一樣，對(duì)配套的公共充電樁、私人充電樁建設(shè)進(jìn)度也不一樣，下面以全球充電樁建設(shè)規(guī)模最大的中國大陸市場(chǎng)為例介紹。

據(jù)信息產(chǎn)業(yè)研究院統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，截至2018年4月，中國大陸在運(yùn)營公共充電樁約為262058臺(tái)，同比增長(zhǎng)62.5%；其中交流充電樁114472臺(tái)、直流充電樁81492臺(tái)、交直流一體充電樁66094臺(tái)；另外還投建有281847臺(tái)私人充電樁，同時(shí)國家政策也在向私人充電樁傾斜，預(yù)測(cè)2020年，私人充電樁累計(jì)建設(shè)規(guī)模有望達(dá)到400萬臺(tái)。

圖表16 中國大陸2015-2020年充電樁新增建設(shè)規(guī)模分析（來源：易車網(wǎng)、中國產(chǎn)業(yè)信息研究院，單位：萬臺(tái)）

目前公共充電樁制造成本約為3萬元/臺(tái)、私人充電樁約為5000元/臺(tái)，若以每臺(tái)充電樁中功率半導(dǎo)體器件成本占比為25％計(jì)算，則有，2015-2020年中國大陸充電樁功率器件新增市場(chǎng)規(guī)模分別為：7.8億、3.3億、6.7億、10.87億、19.79億、37.84億元。

另外，從數(shù)據(jù)中我們發(fā)現(xiàn)，2016年中國大陸因整頓新能源車企造假問題，充電樁產(chǎn)量增量大幅下滑，該年充電樁功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)增速為-56.9％，但進(jìn)入2017年后，并預(yù)計(jì)到2020年，年增速不低于61％。

圖表17 2015-2020年充電樁功率半導(dǎo)體器件新增市場(chǎng)規(guī)模分析（來源：易車網(wǎng)、中國產(chǎn)業(yè)信息研究院，單位：億人民幣）

通信領(lǐng)域市場(chǎng)規(guī)模

通信行業(yè)同樣擁有龐大的應(yīng)用市場(chǎng)，細(xì)分市場(chǎng)主要包括路由器、交換機(jī)、通信基站、光端機(jī)、對(duì)講機(jī)等。

中國產(chǎn)業(yè)信息研究院統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2017年全球路由器、無線路由器、交換機(jī)、光端機(jī)、通信基站的市場(chǎng)規(guī)模分別為：153億美元、266億美元、97.9億美元、36.6億美元、530億美元。

圖表18 全球通信行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模及結(jié)構(gòu)分析（來源：中國信息產(chǎn)業(yè)研究院，單位：億美元）

注：本圖表不含通信衛(wèi)星領(lǐng)域市場(chǎng)規(guī)模

以2017年通信領(lǐng)域功率半導(dǎo)體器件占整體15％的比例計(jì)算，2017-2020年通信領(lǐng)域功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模將分別為57.45億美元、59.39億美元、62.44億美元、65.96億美元。其中，基站向5G升級(jí)將會(huì)成為通信設(shè)備功率半導(dǎo)體器件用量增加的最大變動(dòng)因素。

圖表19 2017-2020年通信領(lǐng)域功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模分析（來源：中國信息產(chǎn)業(yè)研究院、英飛凌，單位：億美元）

消費(fèi)領(lǐng)域市場(chǎng)規(guī)模

消費(fèi)類電子也是功率半導(dǎo)體器件的消費(fèi)重地，由于消費(fèi)電子產(chǎn)品類型非常多，包括電視機(jī)、電腦、冰箱、收/錄機(jī)、數(shù)碼像機(jī)、手機(jī)、平板電腦、平衡車、空調(diào)、照明等產(chǎn)品，因此消費(fèi)類電子產(chǎn)品對(duì)功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用類型也各不一樣，一般以600V以內(nèi)的產(chǎn)品為主，其中0-40V低耐壓功率半導(dǎo)體器件是使用量最為龐大的類別產(chǎn)品。

另外，新興的無線充電等科技產(chǎn)品雖然比較分散，但數(shù)量也比較可觀，由此也是功率半導(dǎo)體器件不可忽略的消耗大戶。

圖表20 不同中低壓耐壓范圍功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用領(lǐng)域（來源：百度文庫）

根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2017年消費(fèi)類電子行業(yè)功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模為19.6億美元，占全球總體市場(chǎng)份額的20％左右。預(yù)計(jì)到2020年，全球消費(fèi)類電子行業(yè)功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到23億美元。

圖表21 2017-2020年全球消費(fèi)類功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模分析（來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院，單位：億美元）

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