先藝產(chǎn)品|用于芯片封裝的鍵合金絲及金帶
引線(xiàn)鍵合(Wire Bonding)技術(shù)由于工藝成熟簡(jiǎn)單,靈活性高,易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化等在封裝界被廣泛應(yīng)用。它適用于各種材料和尺寸的芯片,能夠適應(yīng)不同的應(yīng)用場(chǎng)景如消費(fèi)電子、汽車(chē)電子和航空航天等領(lǐng)域。
引線(xiàn)鍵合是將細(xì)小的金屬線(xiàn)(通常是金、銅、鋁)連接到半導(dǎo)體芯片的I/O焊盤(pán)和外部引腳之間,以實(shí)現(xiàn)芯片與其他設(shè)備封裝元件之間的電信號(hào)傳輸。這個(gè)過(guò)程通常在室溫下進(jìn)行,依靠超聲波壓力和熱能以促進(jìn)金屬絲的金屬元素在鍵合層間形成金屬擴(kuò)散以形成牢固焊接,鍵合過(guò)程如圖所示。
圖1 引線(xiàn)鍵合工藝過(guò)程
引線(xiàn)鍵合技術(shù)最早出現(xiàn)于上世紀(jì)50年代,最早的主流引線(xiàn)鍵合技術(shù)為手工鍵合,效率低下且鍵合質(zhì)量不穩(wěn)定。60年代時(shí)在電子封裝領(lǐng)域開(kāi)始逐步被廣泛的應(yīng)用,自動(dòng)鍵合技術(shù)在此時(shí)開(kāi)始初有規(guī)模。發(fā)展到80年代時(shí),自動(dòng)鍵合技術(shù)已逐漸成熟。金絲由于其優(yōu)越的延展性、可塑性、以及優(yōu)越的抗氧化、耐腐蝕性成為引線(xiàn)鍵合工藝中的首選材料。
圖2 引線(xiàn)鍵合
金絲鍵合在半導(dǎo)體封裝和微電子制造領(lǐng)域中具有許多優(yōu)點(diǎn):
1. 導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性:金具有優(yōu)異的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性,能夠有效地傳輸電流和散發(fā)熱量,從而提高器件的整體性能;
2. 抗氧化性和耐腐蝕性:金是一種惰性金屬,不易氧化和腐蝕,這使得金絲鍵合的器件具有更長(zhǎng)的使用壽命和更高的可靠性;
3. 鍵合強(qiáng)度高:金絲形成的鍵合強(qiáng)度高,能夠承受較大的機(jī)械應(yīng)力和溫度變化;
4. 加工性能好:金絲具有良好的柔韌性和延展性,易于加工和成型,適合各種復(fù)雜的鍵合工藝;
5. 適應(yīng)性強(qiáng):金與銀、銅界面金屬層形成可靠接頭,能夠適應(yīng)不同的應(yīng)用場(chǎng)景和封裝需求;
6. 鍵合過(guò)程穩(wěn)定:金絲鍵合過(guò)程穩(wěn)定,鍵合質(zhì)量一致性高,適合大規(guī)模生產(chǎn)和自動(dòng)化制造;
7. 生物相容性:金具有良好的生物相容性,適用于醫(yī)療電子設(shè)備和其他需要與人體接觸的應(yīng)用場(chǎng)景。
隨著芯片向著小型化的發(fā)展,鍵合密度開(kāi)始變得更加密集,這對(duì)鍵合線(xiàn)無(wú)論是機(jī)械性能或是穩(wěn)定性能上都有更大的要求。金絲鍵合為目前滿(mǎn)足高溫、高集成以及高可靠性封裝的最優(yōu)引線(xiàn)鍵合方案。
圖3 引線(xiàn)鍵合中用的金絲
先藝電子的鍵合金絲、金帶Au含量高達(dá)99.99%,通過(guò)嚴(yán)格的雜質(zhì)管控及精密加工工藝制得尺寸精準(zhǔn)、表面潔凈無(wú)缺陷的高質(zhì)量產(chǎn)品。我們面向不同領(lǐng)域的需求提供最細(xì)可達(dá)φ15μm的鍵合金絲,可匹配球形鍵合、楔形鍵合、植球等應(yīng)用,同時(shí)也可根據(jù)客戶(hù)要求對(duì)金絲的力學(xué)性能予以調(diào)整。下表展示了先藝電子常規(guī)金絲規(guī)格及性能參數(shù)。
線(xiàn)徑 | mil | 0.6 | 0.7 | 0.8 | 0.9 | 1.0 | 1.2 | 1.25 | 1.5 | 1.8 | 2.0 |
μm | 15±1 | 18±1 | 20±1 | 23±1 | 25±1 | 30±1 | 31.8±1 | 38±1 | 45±1 | 50±1 | |
室溫?cái)嗔沿?fù)荷BL(CN) | >2.0 2.0-6.0 | >4.0 4.0-7.0 | >5.0 5.0-8.0 | >7.0 7.0-10.0 | >9.0 9.0-12.0 | >13.0 13.0-16.0 | >15.0 15.0-20.0 | >21.0 21.0-28.0 | >28.0 28.0-37.0 | >32.0 32.0-42.0 | |
室溫延伸率EL(%) | 1.5-4.0 | 2.0-5.0 | 2.0-7.0 | 2.0-7.0 | 2.0-8.0 | 3.0-8.0 | 3.0-8.0 | 3.0-10.0 | 3.5-11.5 | 4.0-12.0 | |
熔斷電流/A (絲長(zhǎng)10mm) | 0.28 | 0.31 | 0.38 | 0.45 | 0.49 | 0.62 | 0.71 | 0.83 | 1.01 | - |
對(duì)于金絲絲徑的選用,應(yīng)遵循以下選用原則:
1. 根據(jù)鍵合方式不同,球形鍵合的絲徑不要超過(guò)焊盤(pán)尺寸的1/4 ,楔形鍵合則不超過(guò)焊盤(pán)尺寸的1/3;鍵合接頭一般為絲徑的2.5-3.5倍,且不超過(guò)焊盤(pán)尺寸的3/4;
2. 根據(jù)載流需求,設(shè)計(jì)方案中的最大載流應(yīng)低于所選擇金絲絲徑對(duì)應(yīng)熔斷電流的50%-70%,以確保金絲鍵合器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定工作。
3. 根據(jù)鍵合金絲長(zhǎng)度,一般要求鍵合金絲長(zhǎng)度不應(yīng)大于絲徑的100倍,否則會(huì)出現(xiàn)金絲塌陷不良;
4. 根據(jù)線(xiàn)間距,防止工作中的電磁串?dāng)_,一般要求金絲間距應(yīng)大于3-5倍絲徑,焊盤(pán)焊球間距應(yīng)大于1.5倍絲徑。
射頻器件通常工作在較高的頻率范圍內(nèi),對(duì)高頻性能的要非常的高。金絲鍵合會(huì)引入不必要的寄生電感對(duì)器件的高頻性能產(chǎn)生影響,導(dǎo)致高頻器件惡化。而金帶的導(dǎo)入能夠?qū)@種不良有很大的改善。相對(duì)于金絲,金帶在高頻器件中的應(yīng)用有以下優(yōu)點(diǎn):
1. 低寄生電感:金帶的扁平形狀可以增大平面寬度,提供更低的寄生電感和電阻,從而在高頻下表現(xiàn)出更好的性能;
2. 良好的機(jī)械穩(wěn)定性:金帶的寬度和厚度可以提供更大的接觸面積和更強(qiáng)的鍵合力,從而提高器件的耐用性和可靠性;
3. 高散熱性:扁平金帶相較于金絲而言有更多的扇熱面積;
4. 工藝適應(yīng)性:適用各種不同的鍵合工藝,如熱壓焊、超聲波鍵合和電阻點(diǎn)焊等,能夠滿(mǎn)足不同的高頻器件的封裝需求;
圖4 金帶鍵合
下表為先藝電子常規(guī)金帶規(guī)格:
先藝電子常用金帶規(guī)格 | |
寬度(μm) | 50μm, 75μm, 100μm, 150μm, 200μm等 |
厚度(μm) | 12.7μm, 25μm等 |
*金帶寬度及厚度可根據(jù)客戶(hù)需求進(jìn)行定制
先藝電子、XianYi、先藝、金錫焊片、Au80Sn20焊片、Solder Preform、芯片封裝焊片供應(yīng)商、芯片封裝焊片生產(chǎn)廠(chǎng)家、芯片級(jí)三維系統(tǒng)集成技術(shù)、半導(dǎo)體互連和封裝技術(shù),芯片級(jí)散熱技術(shù)、光伏焊帶、銀基釬料、助焊膏、高溫助焊劑、高溫焊錫膏、flux paste、陶瓷絕緣子封裝、氣密性封裝、激光器巴條封裝、熱沉、IGBT大功率器件封裝、光電子器件封裝、預(yù)成型錫片、納米銀、納米銀膏、AMB載板、AuSn Alloy、TO-CAN封裝、低溫焊錫膏、噴印錫膏、銀焊膏、銀膠、燒結(jié)銀、低溫銀膠、銀燒結(jié)、silver sinter paste、Ceramic submount、預(yù)涂助焊劑焊片、氣密封裝焊料、氣密性封焊、金錫熱沉、金錫襯底、金錫焊料封裝、芯片到玻璃基板貼片 (COG)、銦焊料封裝、共晶焊、金錫燒結(jié)、金錫共晶燒結(jié)、共晶鍵合、金錫薄膜、金錫合金薄膜、合金焊料、金錫焊料、Au50Cu50焊片、Au焊片、Au88Ge12焊片、Au99Sb1焊片、Sn焊片、激光巴條金錫共晶焊、激光巴條焊接材料、背金錫、金錫蓋板、金錫殼體、預(yù)置金錫殼體、預(yù)置金錫蓋板、預(yù)涂焊料蓋板、貼膜包裝焊片、覆膜預(yù)成形焊片、金錫薄膜熱沉、鎢銅金錫熱沉、SMT用預(yù)成形焊片、載帶式預(yù)成形焊片、錫銀焊料片、錫銻焊料片、中高溫焊片、異形焊料片、IGBT焊料片、焊錫片、預(yù)成型錫片、金錫焊膏、納米銀錫膏、微組裝焊料、金錫凸點(diǎn)、金錫bump、激光巴條共晶、Au80Sn20、AuSn Solder、晶振金錫封蓋、電鍍金錫、flux coating solder、共晶貼片、銦鉛焊片、銦鉛合金、錫鉍焊片、錫鉍焊料、金錫薄膜電路、ALN熱沉、氮化鋁熱沉、碳化硅金錫熱沉、SiC金錫熱沉、金剛石熱沉、硅基熱沉、CMC熱沉、CPC熱沉